Aumentando la velocità di commutazione, i tempi di recupero e altre proprietà elettriche dei vostri wafer, diodi o IGBT, potrete incrementare i vantaggi competitivi e conquistare una maggiore quota di mercato nei settori di vostro interesse.
Il trattamento a base di radiazioni a fascio di elettroni (E-Beam) costituisce un metodo affidabile e riproducibile per adattare la velocità di commutazione (controllo della durata della portante per i semiconduttori di potenza) di molti dispositivi bipolari in silicio a semiconduttore di potenza, quali IGBT, SCR, BJT e GTO. Questo (diffusione di metalli pesanti per il controllo della durata) offre vantaggi significativi rispetto ai processi convenzionali di drogaggio con oro o platino:
- L’effetto di irradiazione con elettroni accelerati è totalmente reversibile mediante ulteriore ricottura
- Uniformità facilmente controllabile ed elevata riproducibilità
- La capacità di trattare non solo wafer, ma anche dispositivi finali (“confezionati")
L’irradiazione a elettroni accelerati è affidabile e riproducibile
Il nostro trasporto wafer, non solo consente il trattamento di pile di wafer in un unico ciclo per un trattamento conveniente, ma anche un assorbimento uniforme della dose in tutte le pile e nei wafer.
- Energie di elettroni accelerati fino a 12 MeV in America del Nord, Europa e Asia
- Applicazione della dose corretta ogni volta, rispettando le procedure professionali relative alla garanzia di qualità
- Tempi di elaborazione rapidi e affidabili sviluppati mediante l’esperienza nella logistica nazionale e internazionale
Impiego di elettroni accelerati al fine di ottenere un miglioramento delle caratteristiche in numerosi semiconduttori
- Diodi
- Tiristori
- Tiristori Gate Turn Off (GTO)
- Transistor bipolari a gate isolato (IGBT)
- Transistor bipolari a giunzione (BJT)
- MOSFET di potenza (body diodi)
- Wafer di silicio
- Componenti nel settore dell'energia solare
- Componenti nel settore dei veicoli elettrici
